Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,30

(excl. BTW)

€ 7,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.995 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,26€ 6,30
50 - 120€ 1,132€ 5,66
125 - 245€ 0,946€ 4,73
250 - 495€ 0,88€ 4,40
500 +€ 0,58€ 2,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2887
Fabrikantnummer:
SiJ450DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

113A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links