Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2929
Fabrikantnummer:
SiSH536DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

67.4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00325 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links