STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH60N120G2-7

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-0471
Fabrikantnummer:
SCTH60N120G2-7
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

60 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

1.2 kV

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

7

Package Type

H2PAK-7

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.052 Ω

Mount Type

Surface

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode.

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.