Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,32

(excl. BTW)

€ 14,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 642 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,16€ 12,32
20 - 48€ 5,79€ 11,58
50 - 98€ 5,545€ 11,09
100 - 198€ 4,93€ 9,86
200 +€ 4,615€ 9,23

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
903-4504
Fabrikantnummer:
SiHB28N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

123mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor


Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links