Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 122,23

(excl. BTW)

€ 147,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 122,23
2 - 4€ 119,79
5 +€ 107,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
234-8968
Fabrikantnummer:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

F4

Package Type

AG-EASY2B

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Forward Voltage Vf

5.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.062μC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

33.8 mm

Height

16.4mm

Standards/Approvals

60749 and 60068, IEC 60747

Length

62.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

Gerelateerde Links