Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 1.935,00

(excl. BTW)

€ 2.340,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,387€ 1.935,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-1558
Fabrikantnummer:
BSC0924NDIATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Series

OptiMOSTM

Pin Count

8

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual N Channel

Standards/Approvals

JEDEC1, IEC61249-2-22

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET,Integrated monolithic Schottky-like diode and Optimized for high performance Buck converter.

N Channel

100% Avalanche tested

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

Gerelateerde Links