Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 17,12

(excl. BTW)

€ 20,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.000 stuk(s) vanaf 07 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 8,56€ 17,12
10 - 18€ 7,70€ 15,40
20 - 98€ 7,54€ 15,08
100 - 498€ 6,30€ 12,60
500 +€ 5,36€ 10,72

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8293
Fabrikantnummer:
SIHB085N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correctio

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links