Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET, -18.6 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.177,50

(excl. BTW)

€ 1.425,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,471€ 1.177,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2831
Fabrikantnummer:
SPD18P06PGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-18.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SPD18P06P G

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Power Dissipation Pd

80W

Forward Voltage Vf

1.33V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

40mm

Standards/Approvals

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Height

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel, enhancement mode MOSFET. It has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET is qualified according to AEC Q101 standard.

RoHS compliant

Avalanche rated

Pb free lead plating

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.