Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET, -18.6 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.262,50

(excl. BTW)

€ 1.527,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,505€ 1.262,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2831
Fabrikantnummer:
SPD18P06PGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-18.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO252-3

Series

SPD18P06P G

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

1.33V

Maximum Power Dissipation Pd

80W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Height

1.5mm

Width

40 mm

Length

40mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel, enhancement mode MOSFET. It has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET is qualified according to AEC Q101 standard.

RoHS compliant

Avalanche rated

Pb free lead plating

Gerelateerde Links