Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, -16.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 877,50

(excl. BTW)

€ 1.062,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,351€ 877,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3011
Fabrikantnummer:
IPD900P06NMATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-16.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-27nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in mediu

Easy interface to MCU

Fast switching

Avalanche ruggedness

Gerelateerde Links