Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD40DP06NMATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 620,00

(excl. BTW)

€ 750,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,248€ 620,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3007
Fabrikantnummer:
IPD40DP06NMATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suit

Easy interface to MCU

Improved efficiency at low loads due to low Qg

Fast switching

Gerelateerde Links