Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 105 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 4,67

(excl. BTW)

€ 5,65

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.945 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,934€ 4,67
50 - 95€ 0,698€ 3,49
100 - 245€ 0,62€ 3,10
250 - 995€ 0,61€ 3,05
1000 +€ 0,598€ 2,99

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9949
Fabrikantnummer:
SIR5211DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0062Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links