Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 478 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4302DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,67

(excl. BTW)

€ 8,07

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.990 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 3,335€ 6,67
50 - 98€ 3,07€ 6,14
100 - 248€ 2,72€ 5,44
250 - 998€ 2,675€ 5,35
1000 +€ 2,62€ 5,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9963
Fabrikantnummer:
SIRS4302DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

478A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00057Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

230nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links