Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 3.738,00

(excl. BTW)

€ 4.524,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,246€ 3.738,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9966
Fabrikantnummer:
SIRS4401DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

198A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

588nC

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links