Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR401DP-T1-GE3

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 4,54

(excl. BTW)

€ 5,495

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.635 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 0,908€ 4,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9342
Fabrikantnummer:
SIR401DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

205nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links