Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3029
Fabrikantnummer:
SI1025X-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

135mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-89-6

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Forward Voltage Vf

-1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

1.7mm

Width

1.2mm

Height

0.6mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.