Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,16

(excl. BTW)

€ 13,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,116€ 11,16
100 - 240€ 1,051€ 10,51
250 - 490€ 0,949€ 9,49
500 - 990€ 0,893€ 8,93
1000 +€ 0,838€ 8,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1272
Fabrikantnummer:
SIR416DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SiR416DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links