Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 4.2 A, 100 V, 3-Pin DPAK SPD04P10PLGBTMA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
826-9064
Fabrikantnummer:
SPD04P10PLGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.2 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.05 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

38 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Length

6.73mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Width

6.22mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

N.v.t.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.