Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET, -4.2 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,67

(excl. BTW)

€ 8,07

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.490 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,667€ 6,67
50 - 90€ 0,654€ 6,54
100 - 240€ 0,612€ 6,12
250 - 990€ 0,564€ 5,64
1000 +€ 0,554€ 5,54

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7551
Fabrikantnummer:
SPD04P10PLGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SPD04P10PL G

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

850mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Forward Voltage Vf

0.94V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Height

1.5mm

Length

40mm

Width

40 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It is a qualified according to AEC Q101.

Logic level

RoHS compliant

Enhancement mode

Pb free lead plating

Gerelateerde Links