Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET, -4.2 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 740,00

(excl. BTW)

€ 895,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,296€ 740,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7550
Fabrikantnummer:
SPD04P10PLGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PG-TO252-3

Series

SPD04P10PL G

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

850mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.94V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

40 mm

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Length

40mm

Height

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It is a qualified according to AEC Q101.

Logic level

RoHS compliant

Enhancement mode

Pb free lead plating

Gerelateerde Links