Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET, -4.2 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit artikel weer voorradig zal zijn, het wordt door de fabrikant stopgezet.
RS-stocknr.:
273-7550
Fabrikantnummer:
SPD04P10PLGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SPD04P10PL G

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

850mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Forward Voltage Vf

0.94V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

40mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Width

40mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It is a qualified according to AEC Q101.

Logic level

RoHS compliant

Enhancement mode

Pb free lead plating

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.