Fabrikantnummer

Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

RS-stocknr.:: 259-1432
Fabrikantnummer:: BFP540ESDH6327XTSA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 13,625

(excl. BTW)

€ 16,475

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 2.300 stuk(s) vanaf 04 juni 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 100	€ 0,545	€ 13,63
125 - 225	€ 0,518	€ 12,95
250 - 600	€ 0,496	€ 12,40
625 - 1225	€ 0,354	€ 8,85
1250 +	€ 0,245	€ 6,13

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 259-1432
Fabrikantnummer:: BFP540ESDH6327XTSA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	10V
	Package Type	SOT-343
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	10V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	50
	Maximum Transition Frequency ft	30GHz
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2mm
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	BFP540
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 10V
	Package Type SOT-343
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 10V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 50
	Maximum Transition Frequency ft 30GHz
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2mm
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series BFP540
	Automotive Standard No

Datasheet - BFP540ESDH6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor for ESD protected high gain low noise amplifier. It has excellent ESD performance typical Value 1000 V (HBM).

Outstanding Gms 21.5 dB

Noise figure F 0.9 dB

Gold metallization for high reliability

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.