Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 64,85

(excl. BTW)

€ 78,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 200€ 1,297€ 64,85
250 +€ 1,271€ 63,55

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-139
Fabrikantnummer:
SIHP11N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220AB

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.483Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features a fast body diode, low figure-of-merit (FOM), and reduced effective capacitance for improved efficiency. Housed in a TO-220AB package, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.