Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 88,55

(excl. BTW)

€ 107,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 200€ 1,771€ 88,55
250 +€ 1,735€ 86,75

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-139
Fabrikantnummer:
SIHP11N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220AB

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.483Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay Power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features a fast body diode, low figure-of-merit (FOM), and reduced effective capacitance for improved efficiency. Housed in a TO-220AB package, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links