Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB155N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 125,60

(excl. BTW)

€ 152,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 200€ 2,512€ 125,60
250 +€ 2,461€ 123,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-175
Fabrikantnummer:
SIHB155N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65 mm

Length

2.79mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay 4th generation E Series Power MOSFET featuring a fast body diode for enhanced switching performance. It offers a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal behaviour. Designed for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies, it delivers reliable efficiency in demanding power applications.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links