STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 21.7 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT105R70ILB
- RS-stocknr.:
- 719-633
- Fabrikantnummer:
- SGT105R70ILB
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Afbeelding representeert productcategorie
Subtotaal (1 eenheid)*
€ 1,92
(excl. BTW)
€ 2,32
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 18 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 + | € 1,92 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 719-633
- Fabrikantnummer:
- SGT105R70ILB
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
- Land van herkomst:
- CN
The STMicroelectronics 700 V 21.7 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard