STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.727,50

(excl. BTW)

€ 2.090,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,691€ 1.727,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
719-637
Fabrikantnummer:
SGT350R70GTK
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

P-Channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-252

Series

G-HEMT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-1.4 to 7 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.4mm

Length

6.2mm

Width

6.7 mm

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics 700 V 6 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well-established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultrafast switching operation to enable high-power density and unbeatable efficiency performances. Recommended for consumer QR applications with zero current turn-on.

Enhancement mode normally off transistor

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

ESD safeguard

Gerelateerde Links