STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK
- RS-stocknr.:
- 719-637
- Fabrikantnummer:
- SGT350R70GTK
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*
€ 1.727,50
(excl. BTW)
€ 2.090,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 17 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,691 | € 1.727,50 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 719-637
- Fabrikantnummer:
- SGT350R70GTK
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
- Land van herkomst:
- CN
The STMicroelectronics 700 V 6 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well-established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultrafast switching operation to enable high-power density and unbeatable efficiency performances. Recommended for consumer QR applications with zero current turn-on.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard