Vishay SIEH3812EW N-Channel MOSFET, 322 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SIEH3812EW-T1-GE3

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 6,18

(excl. BTW)

€ 7,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 +€ 6,18

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
736-346
Fabrikantnummer:
SIEH3812EW-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

322A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

SIEH3812EW

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00175Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

417W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

8mm

Width

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Vishay Power MOSFET delivers exceptional performance in high-efficiency applications, featuring an N-Channel design that supports significant continuous drain current, Ideal for Advanced energy management solutions.

Fully lead (Pb)-free and halogen-free construction for environmental compliance

Tested at 100% for R and UIS to guarantee reliability

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.