Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs, 125 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,56

(excl. BTW)

€ 3,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,56
10 - 99€ 1,64
100 - 499€ 1,13
500 - 999€ 0,96
1000 +€ 0,84

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
829-343
Fabrikantnummer:
SIR680ADP-T1-UE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

P

Series

SIR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00288Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1.04mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay power MOSFET designed for efficient switching applications, featuring a Compact design that optimises space utilisation and thermal performance in circuit designs.

N-Channel 80V MOSFET with TrenchFET Gen IV technology for superior performance

Very low R-DS(on) rating reduces power loss during operation

Pulsed drain current capability of 300A supports demanding applications

Enhanced thermal characteristics ensure reliability at elevated temperatures

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.