IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 28,86

(excl. BTW)

€ 34,92

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6 stuk(s) klaar voor verzending
  • 89 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 676 stuk(s) vanaf 08 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 28,86
2 - 4€ 25,94
5 - 9€ 24,61
10 - 19€ 22,08
20 +€ 21,53

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
125-8040
Fabrikantnummer:
IXFN200N10P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

Polar HiPerFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

235nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links