Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-7255
Fabrikantnummer:
SI4599DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

Si4599DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.045Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Width

4mm

Length

5mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.