Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 14,66

(excl. BTW)

€ 17,74

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 9.340 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,733€ 14,66
200 - 480€ 0,565€ 11,30
500 - 980€ 0,477€ 9,54
1000 - 1980€ 0,44€ 8,80
2000 +€ 0,367€ 7,34

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3233
Fabrikantnummer:
SI4599DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

Si4599DY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.045Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Length

5mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links