Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 15,80

(excl. BTW)

€ 19,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 9.520 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,79€ 15,80
200 - 480€ 0,609€ 12,18
500 - 980€ 0,514€ 10,28
1000 - 1980€ 0,474€ 9,48
2000 +€ 0,395€ 7,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3233
Fabrikantnummer:
SI4599DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

Si4599DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.045Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Height

1.55mm

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links