Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 8-Pin 1212 SiSS02DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.449,00

(excl. BTW)

€ 1.752,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,483€ 1.449,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-3698
Fabrikantnummer:
SiSS02DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

1212

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

65.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

55 nC @ 10 V

Length

3.15mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.07mm

Forward Diode Voltage

1.1V

N.v.t.

Land van herkomst:
CN
FEATURES
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS(on) in a compact and thermally
enhanced package
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces
switching related power loss
APPLICATIONS
Synchronous rectification
Synchronous buck converter
High power density DC/DC
OR-ing
Load switching

Gerelateerde Links