Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 76,375

(excl. BTW)

€ 92,425

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 425 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 - 25€ 3,055€ 76,38
50 - 100€ 2,872€ 71,80
125 +€ 2,596€ 64,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
188-4877
Fabrikantnummer:
SIHG22N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

SiHG22N60EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

182mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.31 mm

Standards/Approvals

No

Height

20.82mm

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links