Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 151,80

(excl. BTW)

€ 183,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 450 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 3,036€ 151,80
100 +€ 2,884€ 144,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-0893
Fabrikantnummer:
SIHG33N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

98mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

103nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Length

15.87mm

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor


Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links