Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB22N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,82

(excl. BTW)

€ 9,46

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.020 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,564€ 7,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4976
Fabrikantnummer:
SIHB22N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SiHB22N60EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

182mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.57mm

Distrelec Product Id

304-38-846

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links