Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB22N60EF-GE3

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 22,32

(excl. BTW)

€ 27,005

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.020 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 4,464€ 22,32

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4976
Artikelnummer Distrelec:
304-38-846
Fabrikantnummer:
SIHB22N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SiHB22N60EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

182mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.57mm

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.