Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 15,89

(excl. BTW)

€ 19,23

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,589€ 15,89
100 - 240€ 1,494€ 14,94
250 - 490€ 1,351€ 13,51
500 - 990€ 1,272€ 12,72
1000 +€ 1,193€ 11,93

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
815-2698
Fabrikantnummer:
SIHFBC30AS-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHFBC30AS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links