Vishay SiHB068N60EF Type N-Channel MOSFET, 41 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB068N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 19,53

(excl. BTW)

€ 23,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,906€ 19,53
25 - 45€ 3,32€ 16,60
50 - 120€ 3,124€ 15,62
125 - 245€ 2,93€ 14,65
250 +€ 2,812€ 14,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7244
Fabrikantnummer:
SIHB068N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

41A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHB068N60EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

68mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.06mm

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Gerelateerde Links