Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA99DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 13,16

(excl. BTW)

€ 15,925

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 1.560 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 2,632€ 13,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5097
Fabrikantnummer:
SIRA99DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

195A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiRA99DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

172.5nC

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss

Eliminates the need for charge pump

Gerelateerde Links