Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA99DP-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5097
Fabrikantnummer:
SIRA99DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

195A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiRA99DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

172.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss

Eliminates the need for charge pump

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.