Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R120P7ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,48

(excl. BTW)

€ 22,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 885 stuk(s) vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,696€ 18,48
25 - 45€ 3,326€ 16,63
50 - 120€ 3,106€ 15,53
125 - 245€ 2,882€ 14,41
250 +€ 2,698€ 13,49

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4368
Fabrikantnummer:
IPB60R120P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

95W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.5mm

Standards/Approvals

No

Length

10.02mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.