Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R360P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 5,10

(excl. BTW)

€ 6,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.170 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,51€ 5,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4372
Fabrikantnummer:
IPB60R360P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.02mm

Width

9.27 mm

Height

4.5mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links