Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4090BDY-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,16

(excl. BTW)

€ 9,875

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,632€ 8,16
50 - 245€ 1,466€ 7,33
250 - 495€ 1,304€ 6,52
500 - 1245€ 1,222€ 6,11
1250 +€ 0,816€ 4,08

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2821
Fabrikantnummer:
Si4090BDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

7.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links