Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V N, 8-Pin SuperSO8

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 1.615,00

(excl. BTW)

€ 1.955,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,323€ 1.615,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
249-6919
Fabrikantnummer:
IPG20N06S4L26ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Pin Count

8

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

Gerelateerde Links