Vishay Si4948BEY Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-E3
- RS-stocknr.:
- 256-7363
- Fabrikantnummer:
- SI4948BEY-T1-E3
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 8,40
(excl. BTW)
€ 10,15
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 1.190 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,68 | € 8,40 |
| 50 - 95 | € 1,628 | € 8,14 |
| 100 - 245 | € 1,378 | € 6,89 |
| 250 - 995 | € 1,352 | € 6,76 |
| 1000 + | € 0,986 | € 4,93 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 256-7363
- Fabrikantnummer:
- SI4948BEY-T1-E3
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | Si4948BEY | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Height | 1.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series Si4948BEY | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Height 1.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor dual p-channel 175° mosfet iTime is halogen-free.
TrenchFET power mosfet
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Surface mounted on 1 x 1 FR4 board
Gerelateerde Links
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V 8-SOIC SI4948BEY-T1-E3
- Vishay Dual P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SO-8 SI4900DY-T1-E3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-E3
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3
- Vishay Dual N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3
