Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD046N08N5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 2.670,00

(excl. BTW)

€ 3.230,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 1,068€ 2.670,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2783
Fabrikantnummer:
IPD046N08N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel 80V MOSFET. It is an ideal for high frequency switching and synchronous rectification. This MOSFET has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET qualified according to JEDEC1 for target application and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Excellent gate charge

Very low on resistance

Gerelateerde Links