Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 5,91

(excl. BTW)

€ 7,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,591€ 5,91
100 - 490€ 0,56€ 5,60
500 - 990€ 0,502€ 5,02
1000 - 2490€ 0,366€ 3,66
2500 +€ 0,331€ 3,31

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9389
Fabrikantnummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

31.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Forward Voltage Vf

0.76V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links