Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 6,01

(excl. BTW)

€ 7,27

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.980 stuk(s) vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,601€ 6,01
100 - 490€ 0,571€ 5,71
500 - 990€ 0,511€ 5,11
1000 - 2490€ 0,372€ 3,72
2500 +€ 0,337€ 3,37

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9389
Fabrikantnummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

31.2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Forward Voltage Vf

0.76V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.