Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,10

(excl. BTW)

€ 6,17

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 484 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,10
10 - 24€ 4,80
25 - 49€ 4,32
50 - 99€ 4,07
100 +€ 3,83

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
903-4484
Fabrikantnummer:
SiHG33N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

EF

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

98mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

103nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Width

5.31 mm

Height

20.82mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor


Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links