Vishay EF Series N channel-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD250N60EF-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,50

(excl. BTW)

€ 3,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,50
10 - 24€ 1,62
25 - 99€ 0,85
100 - 499€ 0,83
500 +€ 0,82

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-240
Fabrikantnummer:
SIHD250N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

EF Series

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.269Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Gerelateerde Links