Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 2.927,50

(excl. BTW)

€ 3.542,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 1,171€ 2.927,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
170-2287
Fabrikantnummer:
IPD200N15N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-252

Series

IPD200N15N3 G

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Width

9.45 mm

Length

10.36mm

Automotive Standard

No

The Infineon IPD200N15N3 G is 150V OptiMOS achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS part.

Excellent switching performance

Worlds lowest R DS(on)

Gerelateerde Links