Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 16,49

(excl. BTW)

€ 19,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 70 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 400 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 10€ 1,649€ 16,49
20 - 40€ 1,319€ 13,19
50 - 90€ 1,237€ 12,37
100 - 240€ 1,155€ 11,55
250 +€ 1,114€ 11,14

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-1945
Fabrikantnummer:
IPD200N15N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-252

Series

IPD200N15N3 G

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.45 mm

Standards/Approvals

No

Height

4.57mm

Length

10.36mm

Automotive Standard

No

The Infineon IPD200N15N3 G is 150V OptiMOS achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS part.

Excellent switching performance

Worlds lowest R DS(on)

Gerelateerde Links