Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 11,45

(excl. BTW)

€ 13,854

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.038 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,725€ 11,45
10 - 18€ 5,16€ 10,32
20 - 98€ 5,06€ 10,12
100 - 498€ 4,23€ 8,46
500 +€ 3,60€ 7,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8290
Fabrikantnummer:
SIHB080N60E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.08Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links