Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 42,45

(excl. BTW)

€ 51,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 0,849€ 42,45
100 - 450€ 0,684€ 34,20
500 +€ 0,625€ 31,25

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
268-8294
Fabrikantnummer:
SIHB6N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.95Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay E series power MOSFET has low switching and conduction losses, it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and power factor correction power supplies. It has integrated zener diode for ESD protection.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links