Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 5 eenheden)*

€ 4,85

(excl. BTW)

€ 5,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5 - 45€ 0,97€ 4,85
50 - 245€ 0,824€ 4,12
250 - 495€ 0,68€ 3,40
500 - 1245€ 0,638€ 3,19
1250 +€ 0,60€ 3,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9373
Fabrikantnummer:
SIRA06DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.73V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links