Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 5 eenheden)*

€ 9,73

(excl. BTW)

€ 11,775

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5 - 45€ 1,946€ 9,73
50 - 245€ 1,652€ 8,26
250 - 495€ 1,366€ 6,83
500 - 1245€ 1,282€ 6,41
1250 +€ 1,208€ 6,04

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9373
Fabrikantnummer:
SIRA06DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

0.73V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.